多功能三靶磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

2.磁控濺射設(shè)備是一種常見的物**相沉積設(shè)備，已經(jīng)成功應(yīng)用于各種薄膜的制備工藝。大部分傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備只包含一個濺射靶，工作時腔體內(nèi)只能安裝一種濺射把材料，若要用這樣的設(shè)備沉積不同種薄膜材料，則需要打開主腔體，對靶材進(jìn)行拆除與安裝，不僅效率低下，同時也很難獲得穩(wěn)定的生長工藝。這種設(shè)備只能滿足長期濺射一種薄膜材料的需求，不利于制備復(fù)合膜；傳統(tǒng)的磁控濺射設(shè)備中的基片架僅能對基片進(jìn)行加熱，不能同時旋轉(zhuǎn)，這樣在膜層沉積的過程中會導(dǎo)致基片加熱不均勻，影響鍍膜質(zhì)量；因基片與靶材之間的距離是固定的，如此鍍膜的沉積效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

3.本實(shí)用新型的目的是為了解決上述背景技術(shù)中的問題，而提出的一種多功能三靶磁控濺射鍍膜裝置。
4.為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：
5.一種多功能三靶磁控濺射鍍膜裝置，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室內(nèi)轉(zhuǎn)動安裝有三個呈環(huán)形均勻分布的偏轉(zhuǎn)桿，所述偏轉(zhuǎn)桿的一端固定安裝有磁控靶，所述偏轉(zhuǎn)桿與真空鍍膜室之間安裝有角度調(diào)控組件，所述真空鍍膜室內(nèi)設(shè)有基片架，所述基片架內(nèi)部設(shè)有加熱器，且基片架位于磁控靶上方設(shè)置，所述基片架與真空鍍膜室之間安裝有旋轉(zhuǎn)升降機(jī)構(gòu)。
6.所述旋轉(zhuǎn)升降機(jī)構(gòu)包括轉(zhuǎn)動安裝在真空鍍膜室頂部中心處的轉(zhuǎn)筒，所述轉(zhuǎn)筒內(nèi)活動插設(shè)有螺紋桿，且螺紋桿的底端與基片架相連接，所述轉(zhuǎn)筒的內(nèi)筒壁上對稱開設(shè)有滑槽，且螺紋桿的桿壁上對稱安裝有與滑槽相對應(yīng)的滑塊，所述轉(zhuǎn)筒的頂部沿邊轉(zhuǎn)動安裝有與螺紋桿螺紋套接的螺紋套筒，所述螺紋套筒與真空鍍膜室之間安裝有驅(qū)動組件。
7.所述驅(qū)動組件包括驅(qū)動電機(jī)，所述驅(qū)動電機(jī)與真空鍍膜室頂部之間安裝有l(wèi)型支撐架，且驅(qū)動電機(jī)的輸出軸上固定套接有主動齒輪，所述轉(zhuǎn)筒的外筒壁上固定套接有與主動齒輪相嚙合的從動齒輪。
8.所述角度調(diào)控組件包括轉(zhuǎn)動安裝在真空鍍膜室內(nèi)部下表面中心處的傳動桿，所述傳動桿的頂端同軸連接有絲桿，所述絲桿上套接有匹配的螺母，所述螺母的外側(cè)壁上鉸接有三個呈環(huán)形均勻分布的連桿，所述連桿的另一端與對應(yīng)的偏轉(zhuǎn)桿相鉸接，所述真空鍍膜室的側(cè)壁上轉(zhuǎn)動安裝有轉(zhuǎn)桿，所述轉(zhuǎn)桿的一端安裝有主動錐齒輪，所述傳動桿上固定套接有與主動錐齒輪相嚙合的從動錐齒輪。
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